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推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
浩亭中国官网　　有分析人士认为，三星采用联发科的AP并非仅仅出于性能考虑，而是一种与高通谈判降低销售价格的战略举措，高通是三星的AP供应商。去年，AP成本在三星智能手机生产成本中的占比从10%左右上升到20%左右。这很大程度上是由于三星自主研发的AP Exynos的份额减少，以及骁龙的采用增加。
MLX90427还配备高精度的模拟数字转换器（ADC）、强大数字信号处理器（DSP）来辅助处理信号任务，以及用于SPI信号输出的输出级驱动芯片。

此外，T2000电子纸笔记本手写功能，无需系统单芯片（SoC），大幅简化开发流程，并显著提高画面感应反应速度，带来更流畅的书写体验。
　　在应用模式下，HAL/HAR 3936 在测量磁铁的 360°角度范围、线性运动和抗杂散场 3D 位置信息方面表现出色。杂散场 稳健型 3D 模式，加上读取外部信号的潜能，让转向柱开关检测获得前所未有的稳健性。利用霍尔技术，该传感器可有效抑制外部杂散磁场，确保在任何情况下都能进行准确测量。
　　conga-SA8 SMARC模块的其他工业特性包括：带内ECC可提高数据安全性，以及表贴DRAM可提高恶劣环境适应能力。典型应用包含面向生产制造和物流的固定或移动控制系统，类如AMR和AGV以及医疗仪器领域的控制系统。其他应用领域包括铁路和运输以及建筑、农业和林业的机器和机器人解决方案。
该芯片具备超低静态功耗、宽输入电压范围、驱动和功率级可分别独立供电等特性，并支持丰富的诊断和保护机制，为车身电机控制提供了更丰富的设计选择。
　　基于Renesas V2H的IMDT产品系列为机器人、物联网和工业应用提供先进的功能和高性能解决方案。这些产品配备了基于Arm的强大CPU和Renesas专有的AI加速器，可支持高带宽通讯、机器学习和高画质图像处理等多种用途。

　　该工艺还可以降低插入损耗，通常在 5GHz 时可降低至 0.6dB。
　　这是在 25°C 时，值为 0.9dB。在 -40 至 +95?C 的整个温度范围内，从 0.7 至 3GHz 增加到 0.8dBmax，从 3 至 5GHz 增加到 1dBmax。
浩亭中国官网　　2 Mb和4 Mb串行SRAM 器件解决了串行SRAM常见的缺点——并行比串行存储器快，通过可选的四通道SPI（每个时钟周期 4 位），将总线速度提高到143 MHz，大大缩小了串行和并行解决方案之间的速度差距。
　　日前发布的电容器DCL仅为0.005CV，与其他电容技术相比，钽电容器能量密度高，可提供更高能量确保正确起爆，是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择，满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合，确保严苛环境下稳定的电气性能。
　　DGH 类型的工作电压高达 8.1V（-40 至 +65°C），330mF 版本的尺寸为 25 x 8.5 x 16mm 高，5F 版本的尺寸为 39 x 13 x 33mm。如果电压降低至 6.9V，它们的工作温度也将高达 85°C。在额定温度和电压下，预计使用寿命为 1,500 小时。