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此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5 ?A，因此降低了导通损耗，确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同，第三代器件几乎没有恢复拖尾，从而能够进一步提升效率。
魏德米勒官网中国英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC MOSFET 400 V G2等先进产品为客户提供支持，推动先进AI应用实现能效。
在环境光条件下 (5 klx)，用户还可通过特殊设置实现上限为800mm的距离测量。该传感器具有高达100Hz的快速测距频率，采用微型回流焊封装，是VL53L4CD的直接衍生产品，与其引脚完全兼容。与所有基于STMicroelectronics FlightSense?技术的飞行时间传感器一样，无论目标的颜色和反射率如何，VL53L4ED都能记录距离测量值。

ActiveProtect能够满足企业多站点部署的需求，并且支持不可变备份、Air-gap、源端数据重删技术，为企业的备份系统提供了更高的安全保障，并且提升管理效率。
　　硬件互锁包括在整个系列中，只有互锁信号出现，硬件才允许开关进行动作，或者相反，作为一个“停止功能”，强迫所有功能开关复位到默认的断电状态，以保护测试系统和操作员。互锁信号也可以在模块之间进行菊花链连接，以进行多模块联合操作。
　　STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。
Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。
首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。

　　MediaTek T300 下行速率可达227Mbps，上行速率可达122Mbps，提供低功耗5G优势特性。基于符合3GPP 5G R17标准的调制解调器，MediaTek T300 支持多种能效增强功能，包括寻呼早期指示（Paging Early Indication）、UE 寻呼子组（UE Subgrouping ）、追踪参考信号辅助同步（TRS info while idle ）、PDCCH 自适应监测（PDCCH monitoring adaptation ）、RLM 测量放松（RLM relaxation while active）等。
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　　C8系列采用真空密封的金属盖，不仅确保了产品的可靠性，还赋予了其超轻量级的RTC组件特性。尤为值得一提的是，尽管其所占面积大幅缩减了50%，仅有2.4平方毫米，但C8系列依然继承了C7系列的高性能优势。
　　PIC32CZ CA MCU还支持安全启动功能，以验证应用代码的真实性和完整性，防止恶意篡改。此外，PIC32CZ CA90的加密硬件还用于验证应用代码及其散列的签名。这种多层次的安全方法可确保器件只执行经过验证且未经篡改的代码，有助于防止未经授权的访问或篡改。