jae连接器
T vj = 25°C时漏源击穿电压为 400 V ,使其适合用于 2 级和 3 级转换器以及同步整流。
这些组件经过 100% 雪崩测试。CoolSiC 技术与 .XT 互连技术相结合,使设备能够应对 AI 处理器功率需求突然变化引起的功率峰值和瞬变。
连接技术和较低且正的 R DS(on)温度系数均可在结温较高的工作条件下保持性能。
jae连接器 HIPS(高抗冲聚苯乙烯)可溶于柠檬烯,用于支撑 ABS,以及打印轻质物体。
TPE(热塑性弹性体),比此例中的 TPU 更有弹性(肖氏硬度 83A),高度耐用且抗疲劳,工作温度范围为 -30 至 140°C。
ASA 是一种抗紫外线的 ABS 替代品,其抗冲击性和耐热性几乎与 ABS 相同。适合户外应用,打印时气味较小。
日前发布的 Vishay Semiconductors 器件将数控输入 LED 驱动器与高速红外发射器( IRED )、集成式光敏二极管 IC 检测器结合在小型 SOIC-8 封装中。光耦数字输入和输出不需要增加驱动级和限流电阻,从而降低系统成本,微控制器直接连接有效帮助简化设计。
我们致力于帮助支持需要低功耗、高性能FPGA结构的嵌入式系统的发展。PolarFire SoC Discovery工具包是我们为各种应用创造更易用、智能、安全和高性能计算解决方案的关键一步。借助新款Discovery工具包,经验丰富的设计工程师、新手以及大学生都可以使用低成本的RISC-V和FPGA开发平台进行学习和快速创新。
Microchip执行官兼总裁Ganesh Moorthy表示:“Microchip是8 位、16位和32位嵌入式解决方案的,随着市场发展,我们的产品线也必须随之发展。新增的64位MPU产品组合使我们能够提供低、中、高端计算处理解决方案。PIC64GX MPU 是多款64位 MPU中的首款产品,旨在支持智能边缘,满足所有细分市场的广泛性能需求。”
CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号,采用真正的常闭单片双向开关,具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管(GIT)技术,拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
RPZ 系列包括额定电流为 0.5 A、1 A、2 A、3 A 和 6 A 的产品,输入电压低至 2.3 V,高达 7 V,具体取决于型号。输出电压可编程,范围低至 0.6 V,高至接近输入电压的值。新型 RPL-5.0 系列可在 2.75V 至 17 V 的宽输入电压范围提供 5 A 输出电流,输出电压可编程,范围为 0.6 V 至 12 V。
千赫兹频带的传统噪声抑制设备需要用到厚重的屏蔽材料,其中有些还会使用金属材质。但问题在于,对于以追求尺寸和重量化为首要目标的电动汽车而言,这些材料过于庞大、笨重。
今天隆重推出HL990x (HL9901和HL9904)系列三相全桥智能功率模块(IPM)。这些智能功率模块旨在简化高压无刷直流电机逆变驱动器的开发和生产过程,并在效率和性能上具有重大提升。
jae连接器 Marktech MTMD142345PDT38 多 LED 光电二极管组合MTMD142345PDT38 具有五个尺寸为 1.04、1.2、1.3、1.46 和 1.55μm 的 LED,以及一个在 600 – 1,750nm 范围内敏感的 InGaAs 光电二极管,所有这些均可单独寻址并密封在 TO-5 金属罐中。
NORA-W4是一款单频段三射频Wi-Fi 6模块,基于Espressif ESP32-C6 SoC解决方案打造。采用NORA-W4模块的电池供电型IoT节点可直接通过Wi-Fi进行通信,以减少对蓝牙网关的需求,简化部署过程并从系统层面上降低成本,因此非常适合电池供电型无线传感器等应用。
采用 Intel Xeon 6 处理器(配备 P-cores)的系统将把人工智能工作负载的性能提高 2-3 倍*,内存带宽提高 2.8 倍*。未来使用 Intel Xeon 6 处理器(配备 E-cores)的系统预计将提供比前几代产品高 2.5 倍*的机架密度,每瓦特性能提高 2.4 倍*,从而将数据中心的 PUE 降低至低至 1.05。