安费诺amphenol连接器

　　TGN298系列采用了55nm制程工艺，写入/擦除次数（P/E Cycle）达10万次，数据有效保存期限可达20年，同时产品支持-40℃~85℃宽温工作环境以及2.7V~3.6V工作电压，关断电流低至 1μA，从容应对各种复杂环境，有效保障设备持久、可靠运行。此外，产品支持ID、安全的OTP、安全存储等多种安全功能，可为OTA更新和设备身份验证等操作提供高规格防护，确保高安全性。
安费诺amphenol连接器　　GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现快的开关速度、的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
　　这些高度集成的模块含栅极驱动 IC、多种模块内置保护功能及FS7 IGBT，实现优异的热性能，且支持15A至35A的宽广电流范围。SPM31 FS7 IGBT IPM的功率密度超高，是节省贴装空间、提高性能预期、同时缩短开发时间的理想解决方案

两款新产品的工作频率是60GHz V波段，提供eUSB2、I2C、SPI、UART和GPIO信号接口直连。，同时，低功耗特性还能保护电池续航性能。两款新产品的工作频率是60GHz V波段，提供eUSB2、I2C、SPI、UART和GPIO隧道 信号接口直连。
不论规模大小，企业客户都已将AI和勒索软件防护视为重中之重。FlashSystem 5300不仅拥有更强大的性能，其内置的FlashCore模块技术还能实时检测勒索软件，这无疑将助推企业混合云存储的现代化，更好地满足关键业务需求。
　　Red Pitaya 围绕 Xilinx ZYNQ 7010 FPGA 构建，该 FPGA 具有双 Arm Cortex-A9 内核，并以 125Msample/s 的速度从两个同步输入进行采样。它兼容Linux、Windows PC、Android和IOS，可以使用C、LabVIEW、MatLab、Python或Scilab进行远程控制。Web 应用程序包括：频谱、伯德、逻辑和矢量网络分析仪、示波器、信号发生器和软件定义无线电。
　　钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。
FCS866R基于可靠的SDIO 3.0接口，可实现高速、低功耗的数据无线传输，并支持-20 °C ~ +70 °C的工作温度；FCE863R则采用可靠的PCIe 1.1接口以同样实现高速、低功耗的Wi-Fi无线传输，同时支持-20°C ~+70°C的工作温度。此外，为适应更多工业场景的应用，FCE863R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。

联发科正式了三星新款低功耗DRAM产品的性能，标志着双方合作迈出重要一步。据业内人士23日透露，三星电子Mobile eXperience（MX）部门计划早于10月发布新款“Galaxy Tab S10”系列。集成中央处理器（CPU）和图形处理器（GPU）的芯片组AP，是决定平板电脑性能的关键部件，将为联发科的“Dimensity 9300 Plus（+）”。这是联发科AP首次被三星高端移动产品采用。
安费诺amphenol连接器　　美光宣布开发业界首款 PCIe Gen6 SSD。据称，这款新 SSD 能够实现“超过 26GB/s 的连续读取带宽”，目前正在为数据中心运营合作伙伴准备。
　　美光在新闻稿中声称，这款超快的新型PCIe Gen6数据中心 SSD 是全球首款。毫不奇怪，在当前的计算时代，涡轮增压存储技术被誉为能够满足日益增长的 AI 处理需求。
　　CoolSiC MOSFET 2000 V产品系列适用于1500 VDC 的高直流母线系统。与 1700 V SiC MOSFET相比，这些器件还能为1500 VDC系统的过压提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基准栅极阈值电压为4.5 V，并且配备了坚固的体二极管来实现硬换向。凭借.XT 连接技术，这些器件可提供一流的散热性能，以及高防潮性。
　　平衡成本考虑因素并降低设计复杂性：针对GaN和SiC器件，简化设计并促进实现易于设计、成本优化、高功率、高频开关电源转换。