phoenix连接器

现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发，是对英飞凌近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统（ESS）、变频电机控制、工业和辅助电源（SMPS）以及住宅建筑固态断路器。
phoenix连接器这一全新的Rambus服务器 PMIC 芯片产品系列与 Rambus DDR5 RCD、SPD Hub 和温度传感器 IC 一起组成一个完整的内存接口芯片组，适用于各种DDR5 RDIMM 配置和用例。
　　这种新型商用现成 (COTS) 载板有两种购买选择。支持conga-HPC/mRLP COM-HPC Mini 模块的纯应用载板，它是从小批量生产开始的系列产品的理想平台。对于特定应用的设计，完整的 aReady. 解决方案提供了高度的便利性和设计安全性。例如，可选择配置包括预安装博世力士乐(Bosch Rexroth) ctrlX OS以及用于实时控制、人机界面、人工智能、IIoT 数据交换、防火墙和维护/管理功能的虚拟机。

　　纳微半导体发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，基于CRPS185外形尺寸，其采用了额定650V、40mΩ的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC级的GaNSafe?氮化镓功率芯片一起，让这款电源实现了138 W/inch的功率密度和超过97%的峰值效率，轻松达到欧盟目前强制执行的“钛金+”效率标准。
　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
一项开创性的联合设计制造（JDM）项目，为电动车（xEVs）驱动逆变器打造一款名为”磁欧石”的创新型150KW功率模组（如图一）。这款产品的推出将满足电动车对高效能、可靠性的严格要求。”磁欧石”采用了750V/450A IGBT解决方案，并整合了银烧结（Die Top System）和单面覆铜基板裸露（Single-Sided exposed Copper）成型工艺等先进技术，为欧洲和美国的电动车提供卓越的可靠性。
这些二极管解决了要求高电压和高电流的应用的挑战，包括开关电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、电机驱动器、不间断电源以及用于可持续能源生产的光伏逆变器。
　　面向高端层级，第三代高通S5音频平台及其全新架构将有助于推动开发者创新，打造更佳音频体验。与前代平台相比，该平台带来超过3倍的计算性能提升和超过50倍的AI性能提升。这将让第三代高通S5音频平台可用于打造需要对终端使用方式和地点作出响应的终端，从而为用户在工作、居家和外出时提供无缝且快速响应的音频体验。

　　此外，Nexperia的“薄型SiC”技术提供了更薄的衬底（为其原始厚度的三分之一），大大降低了从结到背面金属的热阻。由此带来了诸多好处，包括工作温度更低、可靠性更高、设备寿命更长、抗浪涌电流的能力更强、正向压降更低。
phoenix连接器　　TDK AVRH系列的两款新型压敏电阻均符合汽车级AEC-Q200标准，且在静电放电试验中均达到了IEC 61000-4-2标准项下的25 kV抗扰要求。两款产品的工作温度范围为-55 °C到+150 °C，不仅满足耐静电放电要求，并且将空间需求降到了，顺应汽车原始设备制造商（OME）的小型化趋势。
　　移远通信NCM8x5系列模组采用高通FastConnect 7800解决方案，且支持2 × 2 MIMO和双频并发(DBS) 技术，使PC终端能够同时接入2.4 GHz + 5 GHz和2.4 GHz + 6 GHz频段；其中，NCM865和NCM865A两款产品还采用高频并发(HBS)多连接技术，通过降低高频频谱内的干扰以达到增强无线通信的目的，这种改进将有助于更有效地使用带宽，从而减少信号延迟，增加数据吞吐量，以满足多行业对无线连接低延时、高吞吐的需求。
　　这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色，低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性，结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外，正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用，进一步增强了系统的灵活性和可靠性。