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　　为了打造更贴近中国消费者的AI体验，三星在不断创新Galaxy AI功能的同时，也秉承积极开放的合作理念，与国内优质的合作伙伴开展了深入的合作，致力于构建更加完善的Galaxy AI生态，带来更为丰富的体验。
amp端子NSIP605x系列通过对输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟（SSC）可实现超低噪声和EMI，外围电路仅需简单配置即可满足CISPR25 Class 5要求。ESD性能方面，NSIP605x实现了±8kV 的ESD (HBM)和±2kV的ESD (CDM)性能。出色的EMI和ESD特性使客户可以更加快速便捷的完成系统整体调试，缩短设计时间。
　　所有产品均采用热增强封装倒装芯片技术，尺寸从 RPZ-0.5 的 2 x 2 x 2mm 到 RPZ-6.0 和 RPL-5.0 的 4 x 6 x 1.6 mm 不等。降额情况下，环境工作温度可达 125°C，效率高达 92%，具体取决于型号。

它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
　　据市场研究公司 TrendForce 称，GDDR7 是图形内存市场的下一个大热门。“随着新 GPU 进入验证阶段，内存公司正在逐步增加 GDDR7 的产量，目前 GDDR7 的价格比 GDDR6 高出 20% 至 30%”，TrendForce 表示。“预计第三季度 GDDR7 芯片出货量将略微提高内存的平均售价。”三星电子于 2023 年 7 月开发出业界首款 32Gbps GDDR7 D-RAM。
　　与上一代2.5微米前照式（FSI）GS传感器相比，2.2微米BSI GS传感器在使用F2.0镜头时的灵敏度提高到原来的1.08倍，在使用F1.4镜头时的灵敏度提高到原来的2.16倍。新品OG05B1B是一款采用1/2.53英寸光学格式、分辨率为500万像素的CMOS黑白全局快门传感器。新品OG01H1B是一款采用1/4.51英寸光学格式、分辨率为150万像素的CMOS黑白全局快门传感器。
　　OCH1970VAD-H设计了超小型封装DFN-8，由于其紧凑的面积、超薄封装和极低功耗，该旋转磁性位置传感器结合平面和垂直霍尔效应技术，输出多方向感测磁性位置，为客户提供可配置的信号路径，以便优化感测精度。该器件高集成度能够将多个磁性开关功能集成到单一芯片，实现一芯多用，打造人工智能“中国芯”。
　　没人想要一个又大又笨重的麦克风来分散他们拍摄的注意力。MoveMic被精心设计成几乎隐形，每个麦克风只有8.2克重，尺寸为46毫米x22毫米，佩戴时只能看到麦克风的一小部分，具有前所未有的隐蔽性和便携性。

　　NSIP605x系列推挽变压器驱动是纳芯微推出的高性价比产品系列的新成员。纳芯微亦提供其他高性能、高集成度的产品选择，包括集成了变压器和多通道数字隔离器的NSIP88/89xx系列和NIRSP31x系列；以及集成了变压器和隔离接口的隔离式RS485收发器NSIP83086，和隔离式CAN收发器NSIP1042。
amp端子　　SemiQ表示，这些新开发的1,700V SiC二极管在功率效率和可靠性方面取得了重大进步。QSiC?二极管的设计紧凑且灵活，运行损耗低，热管理出色，为客户开发先进且高性能的解决方案提供了有力支持。所有组件均经过严格的电压测试和雪崩测试，确保了其卓越的性能和可靠性。
　　ICeGaN 功率 IC 集成了米勒箝位以消除高速开关过程中的击穿损耗，并实现了0V关断从而限度地减少反向导通损耗，其性能优于分立 eMode GaN 和其他现有技术。新的封装提供了低至0.28 K/W的改进的热阻性能，与市场上任何其他产品比较具有相当或更加优异的性能。
NX27V与AX45MP集群相互合作，将QiLai打造为异质软件开发平台，使对称式多核心Linux操作系统 (SMP)，实时操作系统 (RTOS )或裸机 (bare metal)系统能够在此平台上同时运行。AX45MP和NX27V的运行频率分别为2.2 GHz和1.5 GHz，而QiLai在全速运行时的总功耗约为5瓦。